PBSS4350Z

Symbol Micros: TPBSS4350z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 200; 2W; 50V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PBSS4350Z,135
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: Nexperia
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PBSS4350Z RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6590 0,5130 0,4640 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 2W
Producent: Nexperia
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 200
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta