PBSS5120T

Symbol Micros: TPBSS5120t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 450; 480mW; 20V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 480mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: NXP Symbol producenta: PBSS5120T RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9660 0,5290 0,3470 0,2990 0,2760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 480mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta