PDTA114YT

Symbol Micros: TPDTA114yt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA114YT,215; PDTA114YT.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Nexperia Symbol producenta: PDTA114YT,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP