PDTC114YU NEXPERIA

Symbol Micros: TPDTC114yu
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114YU,115; PDTC114YU-QX;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC114YU RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6200 0,4120 0,3440 0,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT323
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta