PDTC114YU NXP
Symbol Micros:
TPDTC114yu
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114YU,115; PDTC114YU-QX;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC114YU RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4540 | 0,1790 | 0,1040 | 0,0764 | 0,0698 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114YU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1230000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0698 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC114YU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0698 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |