PDTC123JT,215 NEXPERIA
Symbol Micros:
TPDTC123jt
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 100; 250mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC123JT,215; PDTC123JT,235; PDTC123JT.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC123JT RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8580 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2400 | 0,6570 | 0,5090 | 0,4700 | 0,4500 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC123JT,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
93000 szt.
| ilość szt. | 30000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4500 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |