PDTC123JU,115 NXP
Symbol Micros:
TPDTC123ju
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT323 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PDTC123JU,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3300 | 0,7060 | 0,5480 | 0,5050 | 0,4840 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PDTC123JU,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4840 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Obudowa: | SOT323 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |