PDTC143ET-QR TO236AB NEXPERIA
Symbol Micros:
TPDTC143ET-QR
Obudowa: TO236AB
Tranzystor NPN; 30; 250mW, 50V; 100mA; 230MHz, -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | TO236AB |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | TO236AB |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |