PDTC143XU,115

Symbol Micros: TPDTC143xu
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 50; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; PDTC143XU.115;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC143XU RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9320 0,4730 0,2860 0,2270 0,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT323
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN