PDTC144WT

Symbol Micros: TPDTC144wt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 60; 250mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC144WT,215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC144WT RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5900 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4550 0,1790 0,1050 0,0766 0,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN