PDTC144WT

Symbol Micros: TPDTC144wt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 60; 250mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC144WT,215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: NXP Symbol producenta: PDTC144WT RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5900 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6330 0,4210 0,3510 0,3270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta