PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI

Symbol Micros: TPJM2301PSA-S PJS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: -2A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: PJSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: PJSEMI Symbol producenta: PJM2301PSA-S RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5830 0,2330 0,1360 0,1130 0,1060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: -2A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: SOT23
Producent: PJSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta