PMF170XP SOT323
Symbol Micros:
TPMF170xp
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 1A; 360mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1A |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMF170XP RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
135 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 800+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1800 | 0,7500 | 0,5250 | 0,4550 | 0,4280 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMF170XP,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
867000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4280 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMF170XP,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4280 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMF170XP,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4280 |
Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1A |
Maksymalna tracona moc: | 360mW |
Obudowa: | SOT323 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |