PMF170XP SOT323

Symbol Micros: TPMF170xp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 1A; 360mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: PMF170XP RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
135 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 800+
cena netto (PLN) 1,1800 0,7500 0,5250 0,4550 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Producent: Nexperia Symbol producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
867000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PMF170XP,115 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD