PMF170XP SOT323
Symbol Micros:
TPMF170xp
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 1A; 360mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMF170XP RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
135 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 800+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0700 | 0,6810 | 0,4770 | 0,4140 | 0,3890 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMF170XP,115
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
24300 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3890 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |