PMN30XPAX

Symbol Micros: TPMN30XPAX
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 62mOhm; 5,2A; 7,5W; -55°C ~ 175°C; PMN30XPAX
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 7,5W
Obudowa: TSOP06
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,2A
Maksymalna tracona moc: 7,5W
Obudowa: TSOP06
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD