PMPB10XNX
Symbol Micros:
TPMPB10XNX
Obudowa:
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 12,2mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 150°C; PMPB10XNX
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | DFN2020M-6 |
| Producent: | Nexperia |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | DFN2020M-6 |
| Producent: | Nexperia |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |