PMV160UP

Symbol Micros: TPMV160u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalna tracona moc: 480mW
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: PMV160UP,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 95+ 380+ 1615+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5760 0,3840 0,3230 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalna tracona moc: 480mW
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD