PMV20ENR SOT23
Symbol Micros:
TPMV20e c
Obudowa: SOT23
N-Channel MOSFET 30V 6A 21m?@6A, 10V 435pF@15V 510mW(Ta) 6.94W(Tc) TO-236AB SMD 1.1mm H
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Nexperia |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-11-30
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 19,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Nexperia |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |