PMV40UN2R
Symbol Micros:
TPMV40u
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: PMV40UN2R RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8600 | 3,4100 | 2,8900 | 2,6500 | 2,5600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PMV40UN2R
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
678000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 78mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |