PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN013-30ylc
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 16,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 26W
Obudowa: LFPAK
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 30V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 16,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 26W
Obudowa: LFPAK
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD