PSMN017-60YS NEXPERIA
Symbol Micros:
TPSMN017-60ys
Obudowa: LFPAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 36,1mOhm; 44A; 74W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN017-60YS.115; PSMN017-60YS; PSMN017-60YS,115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | LFPAK |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PSMN017-60YS,115 RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1200 | 2,7400 | 2,2700 | 2,0400 | 1,9600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PSMN017-60YS,115
Obudowa dokładna: LFPAK
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 74W |
| Obudowa: | LFPAK |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |