PSMN0R9-25YLC
Symbol Micros:
TPSMN0r9-25ylc
Obudowa: LFPAK
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 2,125mOhm; 100A; 272W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN0R9-25YLC,115;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 272W |
| Obudowa: | LFPAK |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 25V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PSMN0R9-25YLC RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3000 | 4,0500 | 3,3500 | 2,9400 | 2,7900 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PSMN0R9-25YLC,115
Obudowa dokładna: LFPAK
Magazyn zewnętrzny:
133500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3312 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,125mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 272W |
| Obudowa: | LFPAK |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 25V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |