PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN2r8-80bs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 120A
Maksymalna tracona moc: 139W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Nexperia
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 120A
Maksymalna tracona moc: 139W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Nexperia
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD