PSMN8R7-100YSFX
Symbol Micros:
TPSMN8r7-100ysfx
Obudowa: LFPAK
NextPower 100 V, 9 mohm N-channel MOSFET in LFPAK56
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 198W |
| Obudowa: | LFPAK56 (SOT669) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 90A |
| Maksymalna tracona moc: | 198W |
| Obudowa: | LFPAK56 (SOT669) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |