PUMB13,115 NXP

Symbol Micros: TPUMB13

Obudowa: SC-88

Tranzystor 2xPNP; 100; 300mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;

Parametry

Moc strat:	300mW
Producent:	NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	100
Obudowa:	SC-88
Częstotliwość graniczna:	180MHz
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	50V

Producent: NXP Symbol producenta: PUMB13.115 RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

219 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,5140	0,2360	0,1280	0,0959	0,0856

Moc strat:	300mW
Producent:	NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	100
Obudowa:	SC-88
Częstotliwość graniczna:	180MHz
Maksymalny prąd kolektora:	100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	50V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	2xPNP