PUMB30

Symbol Micros: TPUMB30
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xPNP; 30; 300mW; 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMB30,115;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: NXP Symbol producenta: PUMB30 RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5940 0,2720 0,1480 0,1110 0,0990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta