PUMD24,115 NXP

Symbol Micros: TPUMD24
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN/PNP; 80; 300mW; 50V; 20mA; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: NXP Symbol producenta: PUMD24.115 RoHS Obudowa dokładna: SC-88 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,6330 0,2990 0,1680 0,1270 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta