PUMD9,115 NXP

Symbol Micros: TPUMD9
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 100; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD9,165; PUMD9,115; PUMD9,135;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PUMD9,115 RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,5150 0,2360 0,1280 0,0950 0,0859
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Nexperia Symbol producenta: PUMD9,115 Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0859
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PUMD9,115 Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
1005000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0859
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: PUMD9,135 Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0859
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP