PUMD9,115 NXP
Symbol Micros:
TPUMD9
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 100; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD9,165; PUMD9,115; PUMD9,135;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMD9,115 RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5150 | 0,2360 | 0,1280 | 0,0950 | 0,0859 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD9,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0859 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD9,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
1005000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0859 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMD9,135
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0859 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 230MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SC-88 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN/PNP |