PUMZ1,115 NXP
Symbol Micros:
TPUMZ1
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 120; 300mW; 40V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: NXP
Symbol producenta: PUMZ1,115 RoHS
Obudowa dokładna: SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5780 | 0,2730 | 0,1530 | 0,1160 | 0,1050 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: PUMZ1,115
Obudowa dokładna: SC-88
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1176 |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Obudowa: | SC-88 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |