PZT2907AT1G
Symbol Micros:
TPZT2907a
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor PNP; 300; 1,5W; 60V; 600mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PZT2907AT3G; PZT2907A.115;
Parametry
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT223-4 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT2907AT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5800 | 0,8710 | 0,6850 | 0,6340 | 0,6080 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT2907AT1G
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6080 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: PZT2907AT1G
Obudowa dokładna: SOT223-4
Magazyn zewnetrzny:
577000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6080 |
| Moc strat: | 1,5W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT223-4 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |