PZT751T1G

Symbol Micros: TPZT751
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 75; 800mW; 60V; 2A; 75MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 800mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 75
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 75MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: PZT751T1G RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 0,9980 0,7850 0,7270 0,6970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 800mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 75
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 75MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta