PZTA14 JGSEMI
Symbol Micros:
TPZTA14 JGS
Obudowa: SOT223
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 2W; 30V; 500mA; 125MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: PZTA14,115; PZTA14,135; PZTA14H6327XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | JGSEMI |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | JGSEMI |
| Obudowa: | SOT223 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 125MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | Darlington NPN |
Odpowiedniki
PZTA14,115
Tranzystor NPN; 20000; 1,25W; 30V; 500mA; 125MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: PZTA14.115; PZTA 14 H6327; PZTA14H6327XTSA1; PZTA14H6327TR; PZTA14,135; PZTA14-QX; PZTA 14 H6327 TR; PZTA14 SMD;
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
PZTA14,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,9300 | 1,0600 | 0,8350 | 0,7730 | 0,7410 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)