QS5K2TR

Symbol Micros: TQS5K2TR
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-5
2N-MOSFET 30V 2A 1.25W
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 154mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-5
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: QS5K2TR Obudowa dokładna: SOT23-5  
Magazyn zewnętrzny:
4200 szt.
ilość szt. 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6927
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 154mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-5
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD