TPDV1240RG

Symbol Micros: TR040tpdv1240rg
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
It=40A; Vdrm=1200V; Igt=200mA; Alternistor
Parametry
Prąd bramki: 200mA
Obudowa: TO 3P
Prąd: 40A
Napięcie pracy: 1200V
Typ tyrystora: Triak
Producent: ISC Symbol producenta: TPDV1240RG RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,9900 22,0900 20,9200 20,3300 19,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/510
Producent: LGE Symbol producenta: BTA41-1200BW RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,9900 22,0900 20,9200 20,3300 19,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: LGE Symbol producenta: BTA41-1200BW RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,9900 22,0900 20,9200 20,3300 19,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-06-30
Ilość szt.: 30
Prąd bramki: 200mA
Obudowa: TO 3P
Prąd: 40A
Napięcie pracy: 1200V
Typ tyrystora: Triak
Opis szczegółowy

Producent: STMicroelectronics Typ elementu półprzewodnikowego: triak, Alternistor – Snubberless Napięcie wsteczne maks.: 1.2kV Prąd przewodzenia maks.: 40A Maksymalny prąd wyzwalania bramki: 200mA Maksymalne napięcie wyzwalania bramki: 1.5V Obudowa: TOP3 Montaż: THT Temperatura pracy: -40 °C ~ 125 °C

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta