RC2310A Realchip
Symbol Micros:
TRC2310A
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 3A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; SI2308BDS-T1-E3; LGE02N60C; LGE02N60C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,66W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | RealChip |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,66W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | RealChip |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
SI2308BDS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3;
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5945 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,4800 | 0,8150 | 0,6410 | 0,5930 | 0,5690 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech
N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L YJL03N06A-YAN; Odpowiednik 03N06 (Goford), RHK003N06FRAT146 (Rohm); YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C; KI2308DS;
Pozycja dostępna na zamówienie
YJL03N06C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C; YJL03N06A-YAN; KI2308DS; LGE02N06C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Producent:
YY
Symbol producenta:
YJL03N06C-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,2110 | 0,1150 | 0,0860 | 0,0768 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)