RCD50N06

Symbol Micros: TRCD50N06 REA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD442;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: 37A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-31
Ilość szt.: 1000
Rezystancja otwartego kanału: 37mOhm
Maksymalny prąd drenu: 37A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: RealChip
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD