RD02LUS2

Symbol Micros: TRD02LUS2
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 2,2A; 15,6W; -40°C ~ 125°C;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 15,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Producent: Mitsubishi Symbol producenta: RD02LUS2-T113 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 24+ 72+
cena netto (PLN) 13,1000 11,6200 10,7300 10,3600 10,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
24
Maksymalny prąd drenu: 2,2A
Maksymalna tracona moc: 15,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 125°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta