RD06HVF1

Symbol Micros: TRD06hvf1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 3A; 27,8W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1970;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO220
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 27,8W
Obudowa: TO220
Producent: Mitsubishi Electric
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: THT