RD3G03BATTL1
Symbol Micros:
TRD3G03BATTL1
Obudowa: TO-252 (D-PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO-252 |
| Producent: | ROHM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ROHM - Japan
Symbol producenta: RD3G03BATTL1 RoHS
Obudowa dokładna: TO-252 (D-PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 | 5,7800 | 4,9200 | 4,5200 | 4,2900 |
Producent: ROHM - Japan
Symbol producenta: RD3G03BATTL1
Obudowa dokładna: TO-252 (D-PAK)
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO-252 |
| Producent: | ROHM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |