RFD14N05LSM
Symbol Micros:
TRFD14N05lsm
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD14N05LSM9A;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: RFD14N05LSM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,5700 | 2,1200 | 1,9400 | 1,8500 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: RFD14N05LSM
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
9383 szt.
| ilość szt. | 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |