RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC

Symbol Micros: TRFP50N06 VBS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: VBM1615;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalna tracona moc: 136W
Maksymalny prąd drenu: 60A
Obudowa: TO220
Producent: VBsemi
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: VBsemi Symbol producenta: RFP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2600 2,8400 2,1900 2,1200 2,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalna tracona moc: 136W
Maksymalny prąd drenu: 60A
Obudowa: TO220
Producent: VBsemi
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT