RJP020N06T100 ROHM
Symbol Micros:
TRJP020n06t100
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 12V; 300mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | ROHM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ROHM - Japan
Symbol producenta: RJP020N06T100 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
82 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4400 | 1,5300 | 1,2700 | 1,1300 | 1,0600 |
Producent: ROHM - Japan
Symbol producenta: RJP020N06T100
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
44000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | ROHM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |