RN1904FE

Symbol Micros: TRN1904FE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xNPN; 80; 100mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 100mW
Producent: TOSHIBA
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Toshiba Symbol producenta: RN1904FE RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
99 szt.
ilość szt. 5+ 10+ 20+ 40+ 100+
cena netto (PLN) 0,6880 0,4360 0,2850 0,1930 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 100mW
Producent: TOSHIBA
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta