RQ3L070ATTB
Symbol Micros:
TRQ3L070ATTB
Obudowa: HSMT8 (3.2x3)
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Obudowa: | HSMT8 |
| Producent: | ROHM Semiconductor |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 20W |
| Obudowa: | HSMT8 |
| Producent: | ROHM Semiconductor |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |