RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TRSJ250p10fratl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: RSJ250P10FRATL RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,5000 5,9400 5,0600 4,6400 4,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD