RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TRSJ250p10tl
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: D2PAK
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: RSJ250P10TL LPTS RoHS Obudowa dokładna: D2PAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
cena netto (PLN) 8,2800 6,9200 6,1400 5,6900 5,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
120
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: D2PAK
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD