S9014 MDD

Symbol Micros: TS9014 MDD
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 1000; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; S9014-YAN;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: MDD(Microdiode Electronics) Symbol producenta: S9014 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1780 0,0651 0,0344 0,0257 0,0238
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: MDD
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN