SCT040H65G3AG STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSCT040H65G3AG
Obudowa:
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 221W |
| Obudowa: | H2PAK-7 |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: SCT040H65G3AG
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 28,4449 |
Producent: ST
Symbol producenta: SCT040H65G3AG
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 29,5755 |
Producent: ST
Symbol producenta: SCT040H65G3AG
Obudowa dokładna:
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 27,4078 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 221W |
| Obudowa: | H2PAK-7 |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 22V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |