SCT3080ALGC11

Symbol Micros: TSCT3080algc11
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 22V; 104mOhm; 30A; 134W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SCT3080ALGC11: Rohm;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 104mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 134W
Obudowa: TO247
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: SCT3080ALGC11 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 53,1100 51,0100 49,5000 48,1300 47,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Rezystancja otwartego kanału: 104mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 134W
Obudowa: TO247
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 22V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT