SDI2085 SHIKUES
Symbol Micros:
TSDI2085
Obudowa: DFN06(2x2)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 15V; 12V; 45mOhm; 8,5A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | DFN06(2x2) |
| Producent: | SHIKUES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 15V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 45mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,3W |
| Obudowa: | DFN06(2x2) |
| Producent: | SHIKUES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 15V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |