SI1012CR-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI1012cr
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 1,1Ohm; 630mA; 240mW; -55°C ~ 150°C; SI1012CR-T1-GE3
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 240mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-30
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 240mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |