SI1021R-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI1021r
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A OBSOLETE;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |