SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI1022r
Obudowa: SC75-3 (SOT416)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 330mA |
| Maksymalna tracona moc: | 250mW |
| Obudowa: | SC75-3 (SOT416) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |